6月13日音讯，国度学问产权局信息露出，合肥晶书籍成电路股份有限公司央求一项名为“半导体疆城结构及双栅氧化层制备步调”的专利。央求公布号为CN122205953A，央求号为CN202610663071.2，央求公布日历为2026年6月12日，央求日历为2026年5月14日，发明东谈主徐锐、宋聪强，专利代理机构华进结合专利商标代理有限公司，专利代理师杨明莉，分类号H10D89/10、H10P76/20、H10D64/01。

专利撮要露出，本公开波及半导体制造技能界限，具体波及一种半导体疆城结构及双栅氧化层制备步调，其中，第一光刻胶图形沿第一标的蔓延，沿第一标的的尺寸为L1，沿第二标的的尺寸为W1；第二光刻胶图形沿第二标的蔓延，沿第一标的的尺寸为W2，沿第二标的的尺寸为L2；在第一光刻胶图形与第二光刻胶图形相交的情况下，W1、W2均小于第一蓄意值，L1、L2均小于第二蓄意值；在W1、W2中至少一个大于即是第一蓄意值，或L1、L2中至少一个大于即是第二蓄意值的情况下，第一光刻胶图形与第二光刻胶图形的间距大于蓄意间距值，蓄意间距值关联于第二蓄意值与第一蓄意值的比值。至少大致有用减少基于光刻胶刻蚀经过中的残留物，博亚体育幸免产生因残留物挫伤衬底。

晶书籍成建树于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券往还所上市，注册地址和办公地址均波及安徽省合肥市。该公司是国内提高的12英寸晶圆代工企业，具备先进工艺研发与欺诈智商，投资价值突显。

晶书籍成主要从事12英寸晶圆代工业务，专注于研发并欺诈先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工办事。公司所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，波及MCU想法、MR头显、MiniLED等想法板块。

2025年，晶书籍成生意收入为108.85亿元，行业名次4/7，行业第又名中芯国外为673.23亿元，第二名华虹宏力为172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。其主生意务组成中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业名次4/7，行业第又名中芯国外为72.09亿元，第二名赛微电子为13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

合肥晶书籍成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利称号专利类型法律情状央求号央求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东谈主1检索模子的检修步调、检索步融合电子斥地发明专利公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬2LDMOS器件的阈值电压的APC步调、系统、介质及产物发明专利公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧3一种半导体器件过甚制作步调发明专利公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏4半导体疆城结构及双栅氧化层制备步调发明专利公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强5一种半导体器件过甚制作步调发明专利公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏6芯片布局模子的检修步调、芯片布局步调及干系安装发明专利公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、皆天翔、萧礼明、蒋治纬7半导体结构及制备步调发明专利公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春8一种半导体器件的测试步调及测试安装发明专利公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲9光阻层的酿成步调及半导体结构发明专利公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明10半导体结构、栅极结构的制备步调及裁减颓势的步调发明专利公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚11半导体结构及制备步调发明专利公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露12用于工艺监测的要津尺寸条形结构及要津尺寸监测步调发明专利公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟13OPC模子的改变步调、系统及狡计机可读存储介质发明专利公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙14一种光刻套刻纰谬的赔偿步调、系统和斥地发明专利公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜15精好意思孔制备步调及背照式图像传感器的制备步调发明专利公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉16一种掩膜疆城优化步调、斥地、存储介质及法子产物发明专利公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾17裁减F离子注入在CIS产物上产生白像素的步调及系统发明专利内容审查的成效、公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽18半导体结构过甚制备步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛19半导体器件过甚制造步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章一又、苏圣哲、罗钦贤20静态存储器的最小责任电压的瞻望步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁21一种SRAM集成电路结构、静态立时存取存储器过甚制备步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞22一种SRAM集成电路结构、静态立时存取存储器过甚制备步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞23一种半导体结构的制备步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷24一种战斗孔过甚酿成步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳25半导体结构的制作步调及半导体结构发明专利内容审查的成效、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞26半导体结构过甚制备步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕27半导体器件过甚制作步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕28一种半导体结构过甚制造步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊29半导体结构过甚制备步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕30光学相近效应修正模子的改变步调及数据汇集步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙31电性测试结构过甚测试步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼32伽马电阻的阻值波动的监控步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春33一种半导体芯片的疆城遐想步调及疆城遐想系统发明专利内容审查的成效、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃34黄光制程曝光能量详情步调、电子斥地和存储介质发明专利内容审查的成效、公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明35一种半导体结构的制备步融合半导体结构发明专利内容审查的成效、公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩36一种化学气相千里积斥地过甚温度达成步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄看看、王松、周丹玫、胡万春37晶体管结构过甚制备步调发明专利公布CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29张帅博、郭廷晃38铝衬垫制备步调及半导体发明专利内容审查的成效、公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕39一种去除自瞄准硅化物中未响应镍铂合金的步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛40半导体器件的颓势测试步融合半导体器件发明专利内容审查的成效、公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀41半导体结构、制备步调、键合步调及半导体器件发明专利内容审查的成效、公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健42套刻标记结构过甚制造步调、套刻标记尺寸聘请步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平43半浮栅晶体管过甚制备步调、包含其的存储器件发明专利内容审查的成效、公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛44LDMOS器件过甚制备步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪45半导体结构制备步调及半导体结构发明专利内容审查的成效、公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智46电容结构过甚制造步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘曙光、蔡承佑、丁好意思平、陆莹莹、周迪47半导体测试结构及步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春48半导体测试结构及厚度测量步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋49图像传感结构、传感器及制备步调发明专利内容审查的成效、公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦50一种半导体斥地参数举座变差自动识别步调及系统发明专利内容审查的成效、公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟博亚体育

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